三安光电拥有由美国、台湾、日本及国内光电技术顶尖人才组成的高素质专家团队，累计申请及获得近两百项发明专利与专有技术，多项自主研发的专有技术填补了国内空白。承担国家"863"、"973"计划等多项重大课题，并拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心。 1.2003年1月通过全色系超高亮度LED芯片科技成果鉴定，鉴定结论为：项目硬件水平属国内一流，等同于国际当代水平、项目产业化水平居国内最高水平，并接近国际先进水平、产品主要技术指标属国内领先，特别是超高亮度绿光LED外延片的研制成功及产业化属填补国内空白。被评定为国内首家实现该项目产业化的生产厂家，产品质量稳定可靠。 2.2003年4月公司的"氮化镓基发光二极管外延片和器件制备项目"被国家发展改革委列入2003年光电子、新型元器件专项高技术产业化示范工程。 3.2003年6月"高亮度蓝光LED产品及应用"项目被列入信息产业部2003年度电子信息产业发展基金项目。 4.2004年3月"功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术"项目被列入"十五"国家科技攻关计划重大项目中"半导体照明产业化技术开发"攻关项目。 5.2004年11月"半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化"项目被国家信息产业部列入2005年信息产业基金重点支持项目。 6.2006年11月我司承担的"功率型半导体全色系芯片产业化"项目被国家发改委列入"国家2006年信息产业企业技术进步和产业升级专项项目"。 7.2006年12月我司承担的"100lm/W功率型白光LED制造技术"项目被国家科技部确定为国家高新技术研究发展计划（863计划）课题。 8.2007年技术中心承担的"用于TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片产业化"项目被列入国家发改委重大产业科技项目。 9.2008年"液晶显示屏背光源用超高亮度半导体红色发光二极管（LED）芯片研发及产业化"项目被信息产业部列入2008年重点招标项目。 10．2008年承担并主导了由市科技局组织的市重大科技计划联合项目"高效半导体照明关键技术及其应用产业化"，攻克实现功率型白光发光效率达到80lm/w的产业化国内最高水平。 11．2009年"半导体照明器件研发及产业化"项目被信息产业部列入2009年重点招标项目。 12.2009年11月：公司"RS-B1超高亮度功率红色发光二极管芯片"通过专家鉴定，认定为国内首创，产品性能达到国际水平。 13.2010年05月：承担科技部"863"计划A类课题顺利通过验收，成为全国首家通过验收的半导体照明LED企业。 14.2010年11月：公司"S-23ABMUP系列背光源用LED芯片"通过专家鉴定为：国内首创，产品性能达到国际先进水平。 15.2010年12月："用于TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片产业化项目"获得工信部2010年信息产业化重大技术发明奖。 16、2011年08月："液晶显示背光源用LED芯片"被国家科技部认定为国家重点新产品。 17、2011年11月：我司发明专利"一种空间式立体分布电极的发光二极管及其制作方法"荣获中国专利优秀奖。 18、2011年11月：我司"聚光型GaInP/GaInAs/Ge 三结太阳电池成套制造工艺技术研发及示范生产线"确定为国家"863计划"课题。 19、2012年7月：公司"高光效功率型绿光LED芯片"通过新产品鉴定，鉴定为性能指标达到同类产品国际水平。